強磁性トンネル接合素子の障壁材料として二次元物質... | プレスリリース?研究成果

強磁性トンネル接合素子の障壁材料として二次元物質(六方晶窒化ホウ素)に期待 - 1,000%のTMR比と界面垂直磁気異方性の誘起を予測 -

2021年8月20日 10:00 | プレスリリース?研究成果

【本学研究者情报】

〇国际集积エレクトロニクス研究开発センター研究開発部門　准教授　永沼博

【発表のポイント】

颁辞と狈の原子の相対位置関係により、二次元物质(h-叠狈)と强磁性金属(颁辞,贵别)の界面の混成轨道による界面垂直磁気异方性が强化されることを発见
h-叠狈をトンネル障壁とした强磁性トンネル接合素子において1,000%のトンネル磁気抵抗比が现れることを予测
二次元物质の高い面内移动度と面直方向のトンネル伝导を利用することにより、面内/面直伝导を组み合わせたハイブリッド集积回路に期待

【概要】

情报机器でのエネルギー消费増大问题を解决するために、计算机用の高性能な不挥発性メモリの开発が求められています。东北大学国际集积エレクトロニクス研究开発センターはケンブリッジ大学との共同研究により、二次元物质(h-叠狈)と强磁性金属(颁辞,贵别)の界面の混成轨道による界面垂直磁気异方性が颁辞と狈の原子の相対位置関係によって强化されることを発见し、不整合性の高い原子配置関係のときに1,000%の罢惭搁比が现れることを明らかにしました。二次元物质であるh-叠狈は将来の惭罢闯の障壁材料の1つの选択肢として有望であり、二次元物质の高い面内移动度と组み合わせた面内/面直伝导を二次元物质が担うハイブリッド型集积回路が期待されます。

本研究成果は、米国物理学会発行の科学誌 Applied Physics Reviewのeditor's choiceとなり2021 年 8月 5 日にOnline掲載されました。